Preview

Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии

Расширенный поиск

Структурные и морфологические особенности магнетронных пленок теллурида висмута n-типа проводимости ВЧ МР

https://doi.org/10.21869/2223-1528-2025-15-2-113-131

Аннотация

Цель исследования. Характеризация нанопленок теллурида висмута n-типа проводимости из мишени Bi2Te2,7Se0,3, формируемых методом высокочастотного магнетронного распыления в среде Ar на кремниевой подложке.
Методы. Высокочастотное магнетронное распыление на подложку из кремния осуществлялось в зависимости от изменений управляющих параметров (мощности P = 50 – 80 Вт и времени t = 1800 – 2700 с) распыления. Характеризация магнетронных нанопленок проводилась методами рентгенофазового анализа, атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии, микрорентгеноспектрального энергодисперсионного анализа, цифровой голографической микроскопии и комбинационного (рамановского) рассеяния света. Проводилась статистическая обработка АСМ-изображений МНП с построением автокорреляционных функций по прямому преобразованию Фурье, анализ изменений фрактальных размерностей МНП.
Результаты. Прецизионно с применением АСМ, ЦГМ, СЭМ и специально разработанной методики по ЭДА измерены толщины и рассчитаны скорости роста МНП, доказано их линейное увеличение в зависимости от P и t. По данным КРС и РФА установлено, что в процессе ВЧ МР Bi2Te2,7Se0,3 формируются поликристаллические МНП, кристалличность которых была достигнута после отжига при 623 К. По дифрактограммам РФА рассчитаны размеры областей когерентности, текстурированности, микродеформаций и межплоскостных деформационных искажений МНП. Проведена статистическая обработка АСМ-изображений МНП с определением фрактальной размерности и построением по ППФ АКФ. Доказано, что МНП имеют 3Dмерность и формируются, подчиняясь смешанному механизму Странского – Крастанова.
Заключение. В магнетронных нанопленках Bi2Te3 n-проводимости обнаружены деформации обоих знаков: как сжимающие (∆а < 0), так и растягивающие (∆a > 0). Расчетные размеры когерентности согласуются с низким уровнем кристалличности и слабо зависят от роста как P, так и t. По измерениям методом «ступеньки» толщины МНП скорость их формирования составила V ≈ 0,6 нм/с.

Об авторах

А. П. Кузьменко
Юго-Западный государственный университет
Россия

Кузьменко Александр Павлович, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник Регионального центра нанотехнологий

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040



А. И. Колпаков
Юго-Западный государственный университет
Россия

Колпаков Артем Игоревич, аспирант

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040



К. А. Матарыкин
Юго-Западный государственный университет
Россия

Матарыкин Константин Александрович, студент кафедры нанотехнологий, микроэлектроники, общей и прикладной физики

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040



В. В. Родионов
Юго-Западный государственный университет
Россия

Родионов Владимир Викторович, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Регионального центра нанотехнологий

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040



О. Н. Иванов
Белгородский государственный национальный исследовательский университет
Россия

Иванов Олег Николаевич, доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник лаборатории перспективных материалов и технологий

ул. Победы, д. 85, г. Белгород 308015



М. Н. Япрынцев
Белгородский государственный национальный исследовательский университет
Россия

Япрынцев Максим Николаевич, кандидат физико-математических наук, научный сотрудник ЦКП «Технологии и материалы»

ул. Победы, д. 85, г. Белгород 308015



Список литературы

1. High ZT and performance controllable thermoelectric devices based on electrically gated bismuth telluride thin films / Dongli Qin, Feng Pan, Jie Zhou, Zibo Xu, Yuan Deng // Nano Energy. 2021. Vol. 89. P. 1–8. https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2021.106472.

2. Thermoelectric properties of bismuth telluride thin films electrodeposited from a nonaqueous solution / K. Cicvaric, L. Meng, D.W. Newbrook, R. Huang, S. Ye, W. Zhang [et al.] // ACS Omega. 2020. Vol. 5, no. 24. P. 14679–14688. https://doi.org/10.1021/acsomega.0c01284.

3. Cao T., Shi X.-L., Chen Z.-G. Advances in the design and assembly of flexible thermoelectric device // Progress in Materials Science. 2023. Vol. 131. P. 101003. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2022.101003.

4. Мустафаева Д.Г., Магкоев Т.Т. Термоэлектрические свойства халькогенидных полупроводниковых соединений и эффективность процесса преобразования // Сибирский физический журнал. 2024. Т. 19, № 1. С. 89–96. https://doi.org/10.25205/2541-9447-2024-19-1-89-96.

5. Metal-ceramic composite Bi2Te3-Gd: thermoelectric properties / O.N. Ivanov, M.N. Yapryntsev, A.E. Vasil’ev, M.V. Zhezhu, V.V. Khovaylo // Glass and Ceramics. 2022. Vol. 79, no. 5-6. P. 180–184. https://doi/org/10.1007/s10717-022-00480-7.

6. Topological thermoelectric materials materials based on Bismuth Telluride / L.N. Lukyanova, O.A. Usov, M.P. Volkov, I.V. Makarenko // Nanobiotechnology Reports. 2021. Vol. 16. P. 282–293. https://doi.org/10.1134/S2635167621030125.

7. Effects of preparation methods on the thermoelectric performance of SWCNT/Bi2Te3 bulk composites / Yuqi Liu, Yong Du, Qiufeng Meng, Jiayue Xu, Shirley Z. Shen // Materials. 2020. Vol. 13, 11. P. 2636. https://doi.org/10.3390/ma13112636.

8. Growth of single-crystalline Bi2Te3 hexagonal nanoplates with and without single nanopores during temperature-controlled solvothermal synthesis / Yuichi Hosokawa, Koji Tomita, Masayuki Takashiri // Scientific reports. 2019. Vol. 9. P. 10790. https://doi.org/10.1038/s41598-019-47356-5.

9. Flexible thermoelectric generator fabricated by screen printing method from suspensions based on Bi2Te2.8Se0.2 and Bi0.5Sb1.5Te3 / I. Voloshchuk, A. Babich, S. Pereverzeva, D. Terekhov, A. Sherchenkov // Journal of Central South University. 2023. Vol. 30. P. 2906–2918. https://doi.org/10.1007/s11771-023-5257-0.

10. Amirghasemi F., Kassegne S. Effects of RF magnetron sputtering deposition power on crystallinity and thermoelectric properties of antimony telluride and bismuth telluride thin films on flexible substrates // Journal of Electronic Materials. 2021. Vol. 50. P. 2190–2198. https://doi.org/10.1007/s11664-020-08681-y.

11. Thermoelectric properties of Bi2–xLuxTe2,7Se0,3 solid solutions / A.E. Vasil’ev, M.N. Yapryntsev, O.N. Ivanov, M.V. Zhezhu // Semiconductors. 2019. Vol. 53, no. 5. P. 673–677. https://doi.org/10.1134/S1063782619050282.

12. Влияние материала подложки на структуру, топологию, состав, оптические и механические свойства химически осажденных пленок PbS / Л.Н. Маскаева, А.В. Поздин, В.Ф. Марков, Е.В. Мостовщикова, В.И. Воронин, П.Н. Мушников [и др.] // Журнал технической физики. 2024. Т. 94, № 11. С. 1922–1934. https://doi.org/10.61011/jtf.2024.11.59110.39-24.

13. Магнетронные углеродные структуры, полученные высокочастотным магнетронным распылением в среде аргона и азота / А.П. Кузьменко, А.И. Колпаков, А.С. Сизов, В.М. Емельянов, Ю.А. Неручев // Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии. 2024. Т. 14, № 2. С. 71–87. https://doi.org/10.21869/2223-1528-2024-14-2-71-87.

14. A simple approach for thickness measurements using electron probe microanalysis / M. Essani, V. Krawiec, E. Brackx, E. Excoffier, P. Jonnard // Microscopy and Microanalysis. 2021. Vol. 27. P. 337–343. https://doi.org/10.1017/S1431927621000088.

15. Interlayer vibrational modes in few-quintuple-layer Bi2Te3 and Bi2Se3 two-dimensional crystals: Raman spectroscopy and first-principles studies / Y. Zhao, X. Luo, J. Zhang, J. Wu, X. Bai, M. Wang [et al.] // Physical Review B. 2014. Vol. 90, no. 24. P. 245428. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.245428.

16. Bose R.S.C., Ramesh K. Study of anisotropic thermal conductivity in textured thermoelectric alloys by Raman spectroscopy // RSC advances. 2021. Vol. 11. P. 24456. https://doi.org/10.1039/D1RA04886D.

17. Weak antilocalization in thin films of the Bi2Te2.7Se0.3 solid solution / N.A. Abdullaev, O.Z. Alekperov, Kh.V. Aligulieva, V.N. Zverev, A.M. Kerimov, N.T. Mamedov // Physics of the Solid State. 2016. Vol. 58, no. 9. P. 1870–1875. https://doi.org/10.1134/S106378341609002X.

18. Structural, electronic and thermoelectric properties of Bi2Se3 thin films deposited by RF magnetron sputtering / S. Gautam, A.K. Verma, A. Balapure, B. Singh, R. Ganesan, M.S. Kumar [et al.] // Journal of Electronic Materials. 2022. Vol. 51, no. 5. P. 2500–2509. https://doi.org/10.1007/s11664-022-09498-7.

19. Raman scattering in amorphous selenium molecular structure and photoinduced crystallization / A.A. Baganich, V.I. Mikla, D.G. Semak, A.P. Sokolov, A.P. Shebanin // Physica Status Solidi (B) Basic Research. 1991. Vol. 166. https://doi.org/10.1002/pssb.2221660133.

20. Evidence of Chlorotellurate (IV) – Hedroxochlorotellurate (IV) species equilibrium upon dissolution of tellurite glasses in aqueous hydrochloric acid: A Raman spectroscopic study / N.K. Nasikas, P. Siafarika, S. Tsigoias, C. Kouderis, S. Boghosian, A.G. Kalampounias // Physica B: Condensed Matter. 2023. Vol. 668. P. 415225. https://doi.org/10.1016/j.physb.2023.415225.

21. Phase transformation and room temperature stabilization of various Bi2O3 nano-polymorphs: effect of oxygen-vacancy defects and reduced surface energy due to adsorbed carbon species / A.C. Gandhi, C.-Y. Lai, K.-T. Wu, P.V.R.K. Ramacharyulu, V.B. Koli, C.-L. Cheng [et al.] // Nanoscale. 2020. Vol. 12. P. 24119–24137. https://doi.org/10.1039/D0NR06552H.

22. Optimization in fabricating bismuth telluride thin films by ion beam sputtering deposition / Z.H. Zheng, P. Fan, T.B. Chen, Z.K. Cai, P.J. Liu, G.X. Liang [et al.] // Thin Solid Films. 2012. Vol. 520. P. 5245–5248. https:doi:10.1016/j.tsf.2012.03.086.

23. Influences of substrate types and heat treatment conditions on structural and thermoelectric properties of nanocrystalline Bi2Te3 thin films formed by DC magnetron sputtering / T. Kurokawa, R. Mori, O. Norimasa, T. Chiba, R. Eguchi, M. Takashiri // Vacuum. 2020. Vol. 179. P. 109535. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109535.

24. [Bi]:[Te] control, structural and thermoelectric properties of flexible BixTey thin films prepared by RF magnetron sputtering at different sputtering pressures / P. Nuthongkum, R. Sakdanuphab, M. Horprathum, A. Sakulkalavek // Journal of Electronic Materials. 2017. Vol. 46. P. 6444–6450. https://doi.org/10.1007/s11664-017-5671-x.

25. Vorokh A.S. Scherrer formula: estimation of error in determining small nanoparticle size // Nanosystems: physics, chemistry, mathematics. 2018. Vol. 9, no. 3. P. 364–369. https://doi.org/10.17586/ 22208054201893364369.

26. Структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок Cu2SnSe3, полученных золь-гель-методом / И.Г. Орлецкий, М.Н. Солован, F. Pinna, G. Cicero, П.Д. Марьянчук, Э.В. Майструк [и др.] // Физика твердого тела. 2017. Т. 59, 4. С. 783–789. https://doi.org/10.21883/FTT.2017.04.44283.354.

27. Necas D., Valtr M., Klapetek P. How levelling and scan line corrections ruin roughness measurement and how to prevent it // Scientific reports. 2020. Vol. 10. P. 15294. https://doi.org/10.1038/s41598-020-72171-8.

28. Taguchi optimized synthesis of graphene films by copper catalyzed ethanol decomposition / S. Santangelo, G. Messina, A. Malara, N. Lisi, T. Dikonimos, A. Capasso [et al.] // Diamond and Related Materials. 2014. Vol. 41. P. 73–78. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2013.11.006.

29. Структурные и морфологические особенности магнетронных наноплёнок HfN с разной толщиной / А.П. Кузьменко, Е.О. Гусев, В.В. Родионов, А.С. Сизов, Ю.А. Миргород, Мьо Мин Тан // Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии. 2022. Т. 12. № 4. С. 110–123. https://doi.org/10.21869/2223-1528-2022-12-4-110-12.

30. Analyzing the surface dynamics of Titanium thin films using fractal and multifractal geometry / A. Das, R.P. Yadav, V. Chawla, S. Kumar, S. Talu, E. P. Pinto [et al.] // Materials Today Communications. 2021. Vol. 27. P. 102385. https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2021.102385.

31. Структурные и морфологические особенности магнетронных наноплёнок TaN с разной толщиной / А.П. Кузьменко, И.С. Кашкин, А.И. Колпаков, А.И. Жакин, В.М. Емельянов // Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии. 2024. Т. 14, № 3. С. 147–164. https://doi.org/10.21869/2223-1528-2024-14-3-147-164.


Рецензия

Для цитирования:


Кузьменко А.П., Колпаков А.И., Матарыкин К.А., Родионов В.В., Иванов О.Н., Япрынцев М.Н. Структурные и морфологические особенности магнетронных пленок теллурида висмута n-типа проводимости ВЧ МР. Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии. 2025;15(2):113-131. https://doi.org/10.21869/2223-1528-2025-15-2-113-131

For citation:


Kuzmenko A.P., Kolpakov A.I., Matarykin K.A., Rodionov V.V., Ivanov O.N., Yapryntsev M.N. Structural and morphological features of magnetron films of bismuth telluride of n-type conductivity RF MR. Proceedings of the Southwest State University. Series: Engineering and Technology. 2025;15(2):113-131. (In Russ.) https://doi.org/10.21869/2223-1528-2025-15-2-113-131

Просмотров: 29


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2223-1528 (Print)