Preview

Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии

Расширенный поиск

Оптические свойства и зонная структура ленгмюровских пленок нитрида бора

https://doi.org/10.21869/2223-1528-2023-13-2-105-116

Аннотация

Цель. Исследовать структурные особенности пленок нитрида бора, полученных методом Ленгмюра – Блоджетт и определить их зонную структуру по спектрам флуоресценции и поглощения.
Методы. Осаждение ленгмюровских пленок производилось на установке KSV NIMA 2002 из коллоидного раствора ST BN/CHCl3. Изучение оптических свойств производилось на спектрфотометре СФ 2000 в спектральном диапазоне 200–1100 нм и конфокальном рамановском микроспектрометре OmegaScope Aist-NT со спектральным разрешением 3 см-1. Изучение морфологии поверхности проводилось с помощью сканирующего зондового микроскопа SmartSPM AIST-NT со стандартными кремниевыми кантилеверами NSA10 с радиусом острия иглы 7 нм. Моделирование зонной структуры стабилизированных наночастиц нитрида бора было произведено в программном пакете MaterialsStudio 2020 с модулем CASTEP.
Результаты. Изучены спектральные особенности осажденных пленочных структур из стабилизированных наночастиц гексагонального нитрида бора. Оптическими методами определен гидродинамический размер наночастиц ~100 нм и латеральный размер наночастиц в ленгмюровских пленках 84,6 нм, рассчитанный по полуширине спектрального пика 1360 см-1 с симметрией E2g, и 82,4 нм – по данным сканирующей зондовой микроскопии. Получены спектры поглощения и флуоресценции коллоидных частиц с аномально большим стоксовым сдвигом 105 нм и квантовым выходом 0,72. Методом Тауца и ab-initio моделированием определена ширина запрещенной зоны стабилизированных наночастиц 5,79 и 5,46 эВ соответственно.
Заключение. В работе изучены морфология поверхности, оптические свойства и зонная структура осаждаемых ленгмюровских пленок из стабилизированных наночастиц нитрида бора.

Об авторах

И. В. Локтионова
Юго-Западный государственный университет
Россия

Локтионова Инна Владимировна, кандидат
физико-математических наук, старший научный сотрудник Регионального центра нанотехнологий

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040, Российская Федерация 



А. П. Кузьменко
Юго-Западный государственный университет
Россия

Кузьменко Александр Павлович, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник Регионального центра нанотехнологий

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040, Российская Федерация 



А. И. Жакин
Юго-Западный государственный университет
Россия

Жакин Анатолий Иванович, доктор  физико-математических наук, профессор кафедры нанотехнологий, микроэлектроники, общей и прикладной физики

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040, Российская Федерация 



В. М. Емельянов
Юго-Западный государственный университет
Россия

Емельянов Виктор Михайлович, доктор технических наук, профессор, главный научный сотрудник

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040, Российская Федерация 



А. С. Сизов
Юго-Западный государственный университет; Курский государственный университет
Россия

Сизов Александр Семёнович, доктор технических наук, помощник проректора по научно-исследовательской работе и международным
связям; профессор кафедры информационных систем и технологий

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040, Российская Федерация 

ул. Радищева, д. 33, г. Курск 305000, Российская Федерация 



П. В. Абакумов
Курский государственный медицинский университет
Россия

Абакумов Павел Владимирович, кандидат физико-математических наук, старший преподаватель кафедры физики, информатики и математики

ул. К. Маркса, д. 3, г. Курск 305041, Российская Федерация 



А. В. Рышкова
Курский государственный медицинский университет
Россия

Рышкова Анна Викторовна, кандидат педагогических наук, доцент кафедры физики, информатики и математики

ул. К. Маркса, д. 3, г. Курск 305041, Российская Федерация 



Ю. А. Неручев
Курский государственный университет
Россия

Неручев Юрий Анатольевич, доктор физико-математических наук, профессор кафедры физики и нанотехнологий, научный руководитель научно-исследовательского центра физики конденсированного состояния

ул. Радищева, д. 33, г. Курск 305000, Российская Федерация 



В. В. Филиппов
Липецкий государственный педагогический университет им. П. П. Семенова-Тян-Шанского
Россия

Филиппов Владимир Владимирович, доктор физико-математических наук, доцент, профессор кафедры математики и физики института естественных, математических и технических наук

ул. Ленина, д. 42, г. Липецк 398020, Российская Федерация 



Список литературы

1. Comprehensive characterization and analysis of hexagonal boron nitride on sapphire / Shantanu Saha, A. Rice, Amob Ghosh [et al.] // AIP Advances. 2021. Vol. 11, no. 5. Р. 055008. https://doi.org/10.1021/acs.cgd.2c00880.

2. Epitaxy of hexagonal boron nitride thin films on sapphire for optoelectronics / Gaokai Wang, Junhua Meng, Jingren Chen [et al.] // Crystal Growth & Design. 2022. Vol. 22, no. 12. Р. 7207–7214. https://doi.org/10.1021/acs.cgd.2c00880.

3. Phonon-assisted emission and absorption of individual color centers in hexagonal boron nitride / D. Wigger, R. Schmidt, O. Del Pozo-Zamudo [et al.] // 2D Materials. 2019. Vol. 6, no. 3. Р. 035006. https://doi.org/10.1088/2053-1583/ab1188.

4. Hexagonal boron nitride quantum dots: Properties, preparation and applications / Xiaofang Zhang, Lulu An, Changning Bai [et al.] // Materials Today Chemistry. 2021. Vol. 20. Р. 100425. https://doi.org/10.1016/j.mtchem.2021.100425.

5. Ellipsometry study of hexagonal boron nitride using synchrotron radiation: transparency window in the Far‐UVC / L. Artús, M. Feneberg, C. Attaccalite[et al.] // Advanced Photonics Research. 2021. Vol. 2, no. 5. Р. 2000101. https://doi.org/10.1002/adpr.202000101.

6. Direct growth of hexagonal boron nitride films on dielectric sapphire substrates by pulsed laser deposition for optoelectronic applications / Gaokai Wang, Jingren Chen, Junhua Meng [et al.] // Fundamental Research. 2021. Vol. 1, no. 6. Р. 677–683. https://doi.org/10.1016/j.fmre.2021.09.014.

7. Growth of hexagonal boron nitride films on silicon substrates by low-pressure chemical vapor deposition / Xi Chen, Chunbo Tan, Xiaohang Liu [et al.] // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2021. Vol. 32. Р. 3713–3719. https://doi.org/10.1007/s10854-020-05116-6.

8. Karim M., Lopes J. M., Ramsteiner M. The impact of ultraviolet laser excitation during Raman spectroscopy of hexagonal boron nitride thin films // Journal of Raman Spectroscopy. 2020. Vol. 51, no. 12. Р. 2468–2477. https://doi.org/10.1002/jrs.6007.

9. Synthesis of hexagonal boron nitride films on silicon and sapphire substrates by low-pressure chemical vapor deposition / R. Singhal, E. Echeverria, D. N. Mcilroy [et al.] // Thin Solid Films. 2021. Vol. 733. Р. 138812. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2021.138812.

10. Improvements in structural and optical properties of wafer-scale hexagonal boron nitride film by post-growth annealing / Seung Hee Lee, Hokyeong Jeong, Odongo Francis Ngome Okello [et al.] // Scientific reports. 2019. Vol. 9, no. 1. Р. 10590. https://doi.org/10.1038/s41598-019-47093-9.

11. Ultralow-dielectric-constant amorphous boron nitride / Seokmo Hong, Chang Seok Lee, Min-Hyun Lee [et al.] // Nature. 2020. Vol. 582, no. 7813. Р. 511–514. https://doi.org/10.1038/s41586-020-2375-9.

12. Rapid and broad-range thickness estimation method of hexagonal boron nitride using Raman spectroscopy and optical microscope / Yeohghoon Jin, Yoonhyuk Rah, Junghoon Park [et al.] //Applied Physics Letters. 2020. Vol. 116, no. 8. Р. 081104. https://doi.org/10.1063/1.5143972.

13. Emergence of fluorescence in boron nitride nanoflakes and its application in bioimaging / Vijayesh Kumar, Kumar Nikhil, Partha Roy [et al.] // RSC advances. 2016. Vol. 6, no. 53. Р. 48025–48032. https://doi.org/10.1016/j.rser.2022.112910.

14. Determination of nickel (II) via quenching of the fluorescence of boron nitride quantum dots / Qiuhong Yao, Yufeng Feng, Rong Mingcong [et al.] // Microchimica Acta. 2017. Vol. 184. Р. 4217–4223. https://doi.org/10.1016/j.mtchem.2021.100425.

15. One‐step synthesis of boron nitride quantum dots: Simple chemistry meets delicate nanotechnology / Bingping Liu, Shihai Yan, Zhongqian Song, Mengli Liu [et al.] // Chemistry–A European Journal. 2016. Vol. 22, no. 52. Р. 18899–18907. https://doi.org/10.1016/j.mtchem.2021.100425.

16. Controllable preparation of boron nitride quantum dots with small size and strong blue photoluminescence / Li Chen, Xiaofang Zhang, Zhao Zhao [et al.] // Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects. 2021. Vol. 614. Р. 126181. https://doi.org/10.1016/j.mtchem. 2021.100425.

17. Direct measurement of quantum efficiency of single-photon emitters in hexagonal boron nitride / N. Nikolay, N. Mendelson, E. Özelci [et al.] // Optica. 2019. Vol. 6, no. 8. Р. 1084–1088. https://doi.org/10.1088/1361-6633/ab6310.

18. Refractive index dispersion of hexagonal boron nitride in the visible and near‐infrared / SeongYeon Lee, Tae-Young Jeong, Suyong Jung [et al.] // Physica status solidi (b). 2019. Vol. 256, no. 6. Р. 1800417. https://doi.org/10.1002/pssb.201800417.

19. A comprehensive review on planar boron nitride nanomaterials: From 2D nanosheets towards 0D quantum dots / Shayan Angizi, Sayed Ali Ahmad Alem, Mahdi Hasanzadeh Azar [et al.] // Progress in Materials Science. 2022. Vol. 124. Р. 100884. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2021.100884.

20. Boron nitride for excitonics, nano photonics, and quantum technologies / B. Gil, G. Cassabois, R. Cusco [et al.] // Nanophotonics. 2020. Vol. 9, no. 11. Р. 3483–3504. https://doi.org/10.1515/nanoph-2020-0225.


Рецензия

Для цитирования:


Локтионова И.В., Кузьменко А.П., Жакин А.И., Емельянов В.М., Сизов А.С., Абакумов П.В., Рышкова А.В., Неручев Ю.А., Филиппов В.В. Оптические свойства и зонная структура ленгмюровских пленок нитрида бора. Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии. 2023;13(3):105-116. https://doi.org/10.21869/2223-1528-2023-13-2-105-116

For citation:


Loktionova I.V., Kuzmenko A.P., Zhakin A.I., Yemelyanov V.M., Sizov A.S., Abakumov P.V., Ryshkova A.V., Neruchev A.Yu., Filippov V.V. Optical Properties and Band Structure of Boron Nitride Langmuir Films. Proceedings of the Southwest State University. Series: Engineering and Technology. 2023;13(3):105-116. (In Russ.) https://doi.org/10.21869/2223-1528-2023-13-2-105-116

Просмотров: 228


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2223-1528 (Print)