<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">techusgu</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Proceedings of the Southwest State University. Series: Engineering and Technology</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2223-1528</issn><publisher><publisher-name>Юго-Западный государственный университет</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.21869/2223-1528-2024-14-3-132-146</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">techusgu-250</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ФИЗИКА</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>PHYSICS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Моделирование квантовых состояний в твердотельных ферромагнитных наноструктурах</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Simulation of quantum states in solid-state ferromagnetic nanostructures</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0009-0000-4051-811X</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Родионова</surname><given-names>А. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Rodionova</surname><given-names>A. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Родионова Анастасия Алексеевна, аспирант кафедры физики, радиотехники и электроники</p><p>ул. Коммунаров, д. 28, г. Елец 399770</p><p>ул. Ленина, д. 42, г. Липецк 398020</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Anastasiia A. Rodionova, Post-Graduate Student of the Department of Physics, Radio Engineering and Electronics</p><p>28 Kommunarov Str., Yelets 399770</p><p>42 Lenina Str., Lipetsk 398020</p></bio><email xlink:type="simple">nastya97zhidkova@yandex.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0003-4323-351X</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Филиппов</surname><given-names>В. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Filippov</surname><given-names>V. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Филиппов Владимир Владимирович, доктор физико-математических наук, профессор  кафедры математики и физики;  профессор кафедры естественных и технических наук</p><p>ул. Ленина, д. 42, г. Липецк 398020</p><p>ул. Краснознаменная, влд. 4, г. Липецк 398006</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Vladimir V. Filippov, Doctor of Science (Physics and Mathematics), Professor of the Department Mathematics and Physics; Professor of the Department of Natural and Technical Sciences</p><p>42 Lenina Str., Lipetsk 398020</p><p>4 Krasnoznamennaya Str., Lipetsk 39800</p></bio><email xlink:type="simple">wwfilippow@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Елецкий государственный университет имени И. А. Бунина; Липецкий государственный педагогический университет имени П. П. Семенова-Тян-Шанского</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Yelets State University named after I.A. Bunin; Lipetsk State Pedagogical University named after P.P. Semenov-Tyan-Shansky</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Липецкий государственный педагогический университет имени П. П. Семенова-Тян-Шанского; Московский государственный университет технологий и управления имени К. Г. Разумовского    (Первый казачий университет), Липецкий казачий институт технологий и управления (филиал)</institution><country>Russian Federation</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Lipetsk State Pedagogical University named after P.P. Semenov-Tyan-Shansky; Moscow State University of Technologies and Management named after K.G. Razumovsky (First Cossack University), Lipetsk branch</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2024</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>24</day><month>09</month><year>2024</year></pub-date><volume>14</volume><issue>3</issue><fpage>132</fpage><lpage>146</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Родионова А.А., Филиппов В.В., 2024</copyright-statement><copyright-year>2024</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Родионова А.А., Филиппов В.В.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Rodionova A.A., Filippov V.V.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://techusgu.elpub.ru/jour/article/view/250">https://techusgu.elpub.ru/jour/article/view/250</self-uri><abstract><sec><title>Цель работы</title><p>Цель работы. Выявление и анализ математических выражений для энергетического спектра носителей заряда в наноразмерных магнитных пленках никеля и структурах Ni-Cu (подложка), а также NiO-Ni-Cu (подложка). </p></sec><sec><title>Методы</title><p>Методы. В работе на основе основных квантово-механических представлений, с учетом граничных условий для связанных квантовых ям получены выражения для энергетического спектра электронов. Ферромагнитные свойства никеля учитываются посредством величины эффективной массы. Решение нелинейных уравнений, определяющих дискретные энергетические уровни, достигалось численными методами с использованием математического пакета Mathcad. </p></sec><sec><title>Результаты</title><p>Результаты. Получены трансцендентные выражения для энергий свободных носителей заряда в квантовых ямах ферромагнитных пленок никеля, показано влияние положения никеля на медной подложке. Показано, что использование медной подложки приводит к увеличению плотности энергетических уровней в никелевой нанопленке. В рамках модели Андерсона рассмотрено влияние оксидного слоя на одноэлектронные состояния в нанопленках никеля и его оксида. На основе численного решения полученных в работе трансцендентных уравнений показано влияние соотношения толщин ферромагнитного металла и его оксида на энергетические уровни электронов, локализованных в оксидном слое. </p></sec><sec><title>Заключение</title><p>Заключение. Представленные в работе формулы для спектра энергий учитывают энергетический рельеф сложной квантовой ямы, размеры пленки, поверхностного оксида и значительную эффективную массу в области ферромагнитной пленки. Показано, что увеличение эффективной массы в магнитных гетероструктурах приводит к повышению электронной плотности состояний. Обнаружено, что плотность электронных состояний в области поверхностного оксида никеля практически независима от толщины никелевой пленки. Результаты и выводы работы могут быть использованы для теоретического прогнозирования физических свойств магнитных наноструктур, в частности элементов спинтроники. </p></sec></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><sec><title>Purpose of the article</title><p>Purpose of the article. Identification and analysis of mathematical expressions for the energy spectrum of charge carriers in nano-sized magnetic films of nickel and Ni-Cu (substrate), as well as NiO-Ni-Cu (substrate) structures.</p></sec><sec><title>Methods</title><p>Methods. In this work, based on basic quantum mechanical concepts and taking into account the boundary conditions for coupled quantum wells, expressions for the energy spectrum of electrons are obtained. The ferrimagnetic properties of nickel are taken into account through the effective mass value. The solution of nonlinear equations that determine discrete energy levels was achieved by numerical methods using the Mathcad mathematical package.</p></sec><sec><title>Results</title><p>Results. Transcendental expressions for the energies of free charge carriers in quantum wells of ferromagnetic nickel films are obtained, and the influence of the position of nickel on the copper substrate is shown. It has been shown that the use of a copper substrate leads to an increase in the density of energy levels in the nickel nanofilm. The influence of the oxide layer on single-electron states in nanofilms of nickel and its oxide is considered within the framework of the Anderson model. Based on the numerical solution of the transcendental equations obtained in the work, the influence of the ratio of the thicknesses of a ferromagnetic metal and its oxide on the energy levels of electrons localized in the oxide layer is shown.</p></sec><sec><title>Conclusions</title><p>Conclusions. The formulas presented in the work for the energy spectrum take into account the energy relief of a complex quantum well, the dimensions of the film, surface oxide, and the significant effective mass in the region of the ferromagnetic film. It has been shown that an increase in the effective mass in magnetic heterostructures leads to an increase in the electron density of states. It was found that the density of electronic states in the region of surface nickel oxide is practically independent of the thickness of the nickel film. The results and conclusions of the work can be used for theoretical prediction of the physical properties of magnetic nanostructures, in particular spintronic elements.</p></sec></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>нанопленка никеля</kwd><kwd>квантовая яма</kwd><kwd>сложная форма</kwd><kwd>гетероструктура</kwd><kwd>энергетический спектр</kwd><kwd>спинтроника&#13;
&#13;
 </kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>nickel nanofilm</kwd><kwd>complex-shaped quantum well</kwd><kwd>heterostructure</kwd><kwd>energy spectrum</kwd><kwd>spintronics</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Фетисов Ю. К., Сигов А. С. Спинтроника: физические основы и устройства // РЭНСИТ (Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии). 2018. Т. 10, № 3. С. 343–356. https://doi.org/10.17725/rensit.2018.10.343</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Fetisov Yu.K., Sigov A.S. Spintronics: physical principles and devices. RENSIT (Radio- elektronika. Nanosistemy. Informatsionnye tekhnologii) = RENSIT (Radio electronics. Nanosystems. Information technologies). 2018;10(3):343–356. (In Russ.) https://doi.org/10.17725/rensit.2018.10.343</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Co/Ni multilayers for spintronics: High spin polarization and tunable magnetic anisotropy / S. Andrieu, T. Hauet, M. Gottwald, A. Rajanikanth, L. Calmels, A. M. Bataille [et al.] // Phys. Rev. Materials. 2018. Vol. 2, no. 6. P. 064410. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.064410</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Andrieu S., Hauet T., Gottwald M., Rajanikanth A., Calmels L., Bataille A. M., et al. Co/Ni multilayers for spintronics: High spin polarization and tunable magnetic anisotropy. Physical Review Materials. 2018;2(6):064410. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.064410</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Особенности магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля для применения в составе перовскитных солнечных элементов / А. С. Агликов, Д. А. Кудряшов, А. М. Можаров, С. В. Макаров, А. Д. Большаков, И. С. Мухин // Журнал технической физики. 2019. Т. 89, вып. 3. С. 460–464. https://doi.org/10.21883/JTF.2019.03.47186.290-18</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Aglikov A.S., Kudryashov D.A., Mozharov A.M., Makarov S.V., Bolshakov A.D., Mu- khin I.S. Sputtering of Nickel oxide thin films for use in perovskite solar cells. Zhurnal tekhnicheskoi fiziki = Technical Physics. 2019;64(3):422–426. https://doi.org/10.1134/S1063784219030022</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Магнитные наночастицы: методы получения, строение и свойства / С. П. Губин, Ю. А. Кокшаров, Г. Б. Хомутов, Г. Ю. Юрков // Успехи химии. 2005. Т. 74, № 6. С. 539–574. https://doi.org/10.1070/rc2005v074n06abeh000897</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gubin S.P., Koksharov Yu.A., Khomutov G.B., Yurkov G.Yu. Magnetic nanoparticles: preparation, structure and properties. Uspekhi khimii = Russian Chemical Reviews. 2005;74(6):489–520. https://doi.org/10.1070/rc2005v074n06abeh000897</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Fatigue behavior of freestanding nickel–molybdenum–tungsten thin films with high-density planar faults / J. Park, Y. Park, S. Choi, Z. F. Lee, G. Sim // Nanoscale. 2024. Vol. 16, is. 25. P. 12050. https://doi.org/10.1039/D4NR01033G</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Park J., Park Y., Choi S., Lee Z.F., Sim G. Fatigue behavior of freestanding Nickel–Molybdenum–Tungsten thin films with high-density planar faults. Nanoscale. 2024:16(25):12050. https://doi.org/10.1039/D4NR01033G</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Tong B., Ichimura M. Electrochemical deposition of transparent p-Type semiconductor NiO // Electrical Engineering in Japan. 2018. Vol. 101, is. 2. P. 45–50. https://doi.org/10.1002/ecj.12043</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Tong B., Ichimura M. Electrochemical deposition of transparent p-type semiconductor NiO. Electrical Engineering in Japan. 2018;101(2):45–50. https://doi.org/10.1002/ecj.12043</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Условия формирования и топография поверхности никелевых нанопленок на меди / В. В. Филиппов, С. Е. Лузянин, Е. С. Нефедова, Д. В. Токарева // Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии. 2021. Т. 11, № 3. С. 59–76</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Filippov V.V., Luzyanin S.E., Nefedova E.S., Tokareva D.V. Formation conditions and surface topography of nickel nanofilms on copper. Izvestiya Yugo-Zapadnogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya: Tekhnika i tekhnologii = Proceedings of the Southwest State University. Series: Engineering and Technologies. 2021;11(3):59–76. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Исследование наноразмерных пленок никеля методом Зауэрбрея / В. Э. Суровая, Л. Н. Бугерко, Э. П. Суровый, С. В. Бин // Ползуновский вестник. 2015. Т. 2, № 4. С. 90–94.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Surovaya V.E., Bugerko L.N., Surovy E.P., Bin S.V. Study of nanosized nickel films by the Sauerbrey method. Polzunovskij vestnik = Polzunovsky Bulletin. 2015;2(4):90–94. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Fabrication and characterization of semiconductor nickel oxide (NiO) nanoparticles manufactured using a facile thermal treatment / M. Hashem, E. Saion, N. M. Al-Hada, H. M. Kamari, A. H. Shaari, Z. A. Talib [et al.] // Results in Physics. 2016. Vol. 6. P. 1024–1030. https://doi.org/10.1016/j.rinp.2016.11.031</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Hashem M., Saion E., Al-Hada N.M., Kamari H.M., Shaari A.H., Talib Z.A., et al. Fabrication and characterization of semiconductor nickel oxide (NiO) nanoparticles manufactured using a facile thermal treatment. Results in Physics. 2016;6:1024–1030. https://doi.org/10.1016/j.rinp.2016.11.031.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Efficient p-type doping of sputter-deposited NiO thin films with Li, Ag, and Cu acceptors / K. O. Egbo, C. E. Ekuma, C. P. Liu, K. M. Yu // Phys. Rev. Materials. 2020. Vol. 4. P. 104603. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.104603</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Egbo K.O., Ekuma C.E., Liu C.P., Yu K.M. Efficient p-type doping of sputter-deposited NiO thin films with Li, Ag, and Cu acceptors. Physical Review Materials. 2020;4(10):104603. https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.104603</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Moumen A., Kumarage G. C. W., Comini E. P. P-Type metal oxide semiconductor thin films: synthesis and chemical sensor applications // Sensors. 2022. Vol. 22, no. 4. P. 1359. https://doi.org/10.3390/s22041359</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Moumen A., Kumarage G.C.W., Comini E. P. P-Type metal oxide semiconductor thin films: synthesis and chemical sensor applications. Sensors. 2022;22(4):1359. https://doi.org/10.3390/s22041359</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Драгунов В. П. Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Наноэлектроника. Ч. 1. М.: Юрайт, 2022. 285 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Dragunov V.P., Neizvestny I.G., Gridchin V.A. Nanoelectronics. Part 1. Moscow: Yurait; 2022. 285 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Размерное квантование. Ч. 1 / В. Э. Гасумянц, С. Н. Лыков, Д. А. Пшенай-Северин, С. А. Рыков, Д. А. Фирсов // Энергетический спектр наноструктур / под ред. С. Н. Лыкова. СПб.: Изд-во политехнического ун-та, 2009. 258 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gasumyants D.E., Lykov S.N., Pshenay-Severin D.A., Rykov S.A., Firsov D.A. Dimensional quantization. Part 1. In: Lykov S. N. (ed.) Energy spectrum of nanostructures. St. Petersburg: Izd-vo Polytechnicheskogo un-ta; 2009. 258 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Anderson R. I. Experiments on Ge-GaAs heterojunctions // Solid State Electronics. 1962. Vol. 5, is. 5. P. 341–344.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Anderson R.I. Experiments on Ge-GaAs heterojunctions. Solid State Electronics. 1962;5(5):341–344.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Рембеза С. И., Рембеза Е. С., Кошелева Н. Н. Низкоразмерные структуры для микро- и наноэлектроники. Воронеж: Воронеж. гос. техн. ун-т, 2015. 114 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Rembeza S.I., Rembeza E.S., Kosheleva N.N. Low-dimensional structures for micro- and nanoelectronics. Voronezh: Voronezh. gos. technicheskii un-t; 2015. 114 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Мушников Н. В. Магнетизм и магнитные фазовые переходы. Екатеринбург: Урал. федер. ун-т, 2017. 168 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Mushnikov N.V. Magnetism and magnetic phase transitions. Ekaterinburg: Ural feder. un-ta; 2017. 168 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Игнатенко С. А. Влияние интерфейсного s-d-рассеяния на транспорт в структурах ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик // Журнал технической физики. 2006. Т. 76, вып. 11. С. 6–11. https://doi.org/10.1134/S1063784206110028</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ignatenko S.A. Effect of interfacial s-d scattering on transport in structures ferromagnet/insulator/ferromagnet. Zhurnal tekhnicheskoi fiziki = Technical Physics. 2006;5(11):1398–1404. (In Russ.) https://doi.org/10.1134/S1063784206110028</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Controlled p-type to n-type conductivity transformation in NiO thin films by ultraviolet-laser irradiation / P. Gupta, T. Dutta, S. Mal, J. Narayan // Journal of Applied Physics. 2012. Vol. 111, no. 1. P. 013706. https://doi.org/10.1063/1.3671412</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gupta P., Dutta T., Mal S., Narayan J. Controlled p-type to n-type conductivity transformation in NiO thin films by ultraviolet-laser irradiation. Journal of Applied Physics. 2012;111(1):013706. https://doi.org/10.1063/1.3671412</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Novel NiO-based p-i-n ultraviolet photodiode / F. Sarcan, U. Dogan, A. Althumali, H. B. Vasili, L. Lari, A. Kerrigan [et al.] // Journal of Alloys and Compounds. 2023. Vol. 934. P. 167806. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.167806</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Sarcan F., Dogan U., Althumali A., Vasili H.B., Lari L., Kerrigan A., et al. Novel NiO- based p-i-n ultraviolet photodiode. Journal of Alloys and Compounds. 2023;934:167806. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.167806</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit20"><label>20</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Landolt H., Börnstein R. Landolt-Borstein’s zahlenwerte und funktionen aus physik, chemie astronomie, geophysik, thechnik. 6th ed. Vol. 2, pt. 6. Berlin: Springer-Verlag? 1959. P. 1852–1913.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Landolt H., Börnstein R. Landolt-Borstein’s Zahlenwerte und Funktionen aus Physik, Chemie Astronomie, Geophysik, Thechnik. 6th ed. Vol. 2, pt. 6. Berlin: Springer-Verlag; 1959. P. 1852–1913.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit21"><label>21</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Фоменко В. С. Эмиссионные свойства элементов и химических соединений. Киев: Наукова думка, 1981. 339 c.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Fomenko V.S. Emission properties of elements and chemical compounds. Kyiv: Naukova Dumka; 1981. 339 p. (In Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit22"><label>22</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Non-extensive statistics in free-electron metals and thermal effective mass / A. Khuntia, G. Sahu, R. Sahoo, D. P. Mahapatra, N. Barik // Physica A: Statistical Mechanics and its Applications. 2019. Vol. 523. pp. 852–857. https://doi.org/10.1016/j.physa.2019.02.043</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Khuntia A., Sahu G., Sahoo R., Mahapatra D.P., Barik N. Non-extensive statistics in free-electron metals and thermal effective mass. Physica A: Statistical Mechanics and its Applications. 2019;523:852-857. https://doi.org/10.1016/j.physa.2019.02.043</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit23"><label>23</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kittel C. Introduction to solid state physics. 8th ed. John Wiley &amp; Sons, Inc., 2005. 700 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kittel C. Introduction to solid state physics. 8th ed. John Wiley &amp; Sons, Inc; 2005. 700 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit24"><label>24</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru"></mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
