techusguИзвестия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологииProceedings of the Southwest State University. Series: Engineering and Technology2223-1528Юго-Западный государственный университет10.21869/2223-1528-2023-13-2-201-221techusgu-149Research ArticleФИЗИКАPHYSICSСтруктура и свойства тонких магнетронных пленок арсенида кадмия на различных подложкахStructure and Properties of Thin Magnetron Films of Cadmium Arsenide on Various Substrateshttps://orcid.org/0000-0002-7941-8404КочураА. В.KochuraА. V.

Кочура Алексей Вячеславович, кандидат физико-математических наук, доцент, заместитель директора по научной работе Регионального центра нанотехнологий

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040

Aleksey V. Kochura, Cand. of Sci. (Physics and Mathematics), Associate Professor, Deputy Head for Research of the Regional Center for Nanotechnology

50 Let Oktyabrya Str. 94, Kursk 305040

akochura@gmail.comАунгЗо ХтетAungZaw Htet

Зо Хтет Аунг, аспирант кафедры нанотехнологий, общей и прикладной физики

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040

Zaw Htet Aung, Post-Graduate Student of the Department of the of Nanotechnology and Engineering Physics

50 Let Oktyabrya Str. 94, Kursk 305040

https://orcid.org/0000-0001-7055-8243ЗахвалинскийВ. С.ZakhvalinskyV. S.

Захвалинский Василий Сергеевич, доктор физико-математических наук, профессор, профессор кафедры теоретической и экспериментальной физики института инженерных и цифровых технологий

ул. Победы, д. 85, г. Белгород 308015

Vasily S. Zakhvalinsky, Dr. of Sci. (Physics and Mathematics), Professor, Professor of the Department of Theoretical and Experimental Physics of the Institute of Engineering and Digital Technologies

Pobeda Str. 85, Belgorod 308015

ПилюкЕ. А.PilyukE. A.

Пилюк Евгений Александрович, кандидат физико-математических наук, доцент, доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики института инженерных и цифровых технологий

ул. Победы, д. 85, г. Белгород 308015

Evgenii A. Pilyuk, Cand. of Sci. (Physics and Mathematics), Associate Professor, Associate Professor of the Department of Theoretical and Experimental Physics of the Institute of Engineering and Digital Technologies

Pobeda Str. 85, Belgorod 308015

https://orcid.org/0000-0001-7735-5393КочураЕ. П.KochuraE. P.

Кочура Евгения Павловна, кандидат физико- математических наук, доцент кафедры программной инженерии

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040

Evgeniya P. Kochura, Cand. of Sci. (Physics and Mathematics), Associate Professor of the Programm Engineering Department

50 Let Oktyabrya Str. 94, Kursk 305040

https://orcid.org/0000-0002-7745-2529РильА. Ю.RilA. Yu.

Риль Алексей Юрьевич, младший научный сотрудник лаборатории полупроводниковых и диэлектрических материалов

Ленинский проспект, д. 31, г. Москва 119991

Aleksey Yu. Ril, Junior Researcher, Laboratory of Semiconductor and Dielectric Materials

31 Leninskii Ave., Moscow 119991

ЕмельяновВ. М.EmelaynovV. M.

Виктор Михайлович Емельянов, доктор технических наук, профессор, главный научный сотрудник

ул. 50 лет Октября, д. 94, г. Курск 305040

Victor M. Emelaynov, Dr. of Sci. (Engineering), Professor, Chief Researcher

50 Let Oktyabrya Str. 94, Kursk 305040

Юго-Западный государственный университетРоссияSouthwest State UniversityRussian FederationБелгородский государственный национальный исследовательский университетРоссияBelgorod State National Research UniversityRussian FederationИнститут общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наукРоссияKurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry of the Russian Academy of SciencesRussian Federation202326072023132201221Copyright © Кочура А.В., Аунг З.Х., Захвалинский В.С., Пилюк Е.А., Кочура Е.П., Риль А.Ю., Емельянов В.М., 20232023Кочура А.В., Аунг З.Х., Захвалинский В.С., Пилюк Е.А., Кочура Е.П., Риль А.Ю., Емельянов В.М.Kochura А.V., Aung Z.H., Zakhvalinsky V.S., Pilyuk E.A., Kochura E.P., Ril A.Y., Emelaynov V.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://techusgu.elpub.ru/jour/article/view/149

Цель исследования. Получение магнетронных пленок арсенида кадмия на различных подложках и изучение их структуры, состава, оптических и электрических свойств.Методы. Напыление тонких пленок арсенида кадмия осуществлялось методом нереактивного высокочастотного магнетронного напыления в атмосфере аргона. Структура и состав пленок исследовались с помощью рентгенофазового анализа, сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионного анализа, малоугловой рентгеновской дифрактометрии. Оптические исследования выполнялись с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света. Приведены результаты исследования электрических свойств тонких плёнок арсенида кадмия.Результаты. На подложках из кремния, сапфира и титаната стронция получены тонкие пленки дираковского полуметалла – арсенида кадмия с толщиной около 40 нм. Исследование их структуры и состава показало существенное влияние следующего за напылением отжига в атмосфере аргона на кристалличность пленки. После отжига независимо от кристаллической структуры подложки частичное ориентирование пленки с осью текстуры (112). Наиболее близкие к стехиометрическому составу пленки получены при напылении с последующим отжигом на ориентированную подложку из титаната стронция, а к кристаллической структуре монокристаллов арсенида кадмия пленки на подложке из сапфира. Отжиг также приводит к сглаживанию поверхности пленки, уменьшению дефектов структуры и переходу фрактальной размерности ее топологии к двумерной от близкой к трехмерной непосредственно после напыления. Оптические свойства после отжига также изменяются, что свидетельствует об их переходе от поликристаллического (аморфного) состояния к монокристаллическому (текстурированному).Заключение. Выполненные различными методами экспериментальные исследования структуры и свойств позволили установить, что контролируемым отжигом можно получать монокристаллические или текстурированные пленки арсенида кадмия, пригодные для исследования проявления топологических свойств.

Purpose of the study. Synthesis of cadmium arsenide magnetron films on various substrates and study of their structure, composition, optical and electrical properties.Methods. The deposition of thin films of cadmium arsenide was carried out by the method of non-reactive highfrequency magnetron sputtering in an argon atmosphere. The structure and composition of the films were studied using X-ray phase analysis, scanning electron microscopy, energy dispersive analysis, and small-angle X-ray diffractometry. Optical studies were performed using Raman spectroscopy. The results of a study of the electrical properties of thin films of cadmium arsenide are presented.Results. On silicon, sapphire, and strontium titanate substrates, thin films of the Dirac semimetal, cadmium arsenide, were obtained with a thickness of about 40 nm. A study of their structure and composition showed a significant effect of annealing in an argon atmosphere following deposition on the crystallinity of the film. After annealing, regardless of the crystal structure of the substrate, partial orientation of the film with the (112) texture axis. The films closest to the stoichiometric composition were obtained by deposition followed by annealing onto an oriented strontium titanate substrate, and to the crystal structure of cadmium arsenide single crystals of a film on a sapphire substrate. Annealing also leads to a smoothing of the film surface, a decrease in structural defects, and the transition of the fractal dimension of its topology to two-dimensional from close to three-dimensional immediately after deposition. The optical properties after annealing also change, which indicates their transition from a polycrystalline (amorphous) state to a single-crystal (textured).Conclusion. Experimental studies of the structure and properties performed by various methods made it possible to establish that single-crystal or textured cadmium arsenide films suitable for studying the manifestation of topological properties can be obtained by controlled annealing.

магнетронное напылениетонкие плёнкиарсенид кадмиятекстурирвоаниедираковский полуметаллmagnetron sputteringthin filmscadmium arsenidetexturingDirac semimetalРабота выполнена при поддержке Министерства науки и образования Российской Федерации (г/з No 0851–2020–0035) и в рамках реализации программы стратегического академического лидерства «Приоритет-2030» (Соглашение No 075-15-2021-1213).This study was carried out with the financial support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (0851-2020-0035) and Prioritet-2030 program (075-15-2021-1213).ReferencesUltrahigh mobility and giant magnetoresistance in the Dirac semimetal Cd3As2 / T. Liang, Q. Gibson, M. N. Ali, M. Liu, R. J. Cava, N. P. Ong // Nature materials. 2015. Vol. 14, no. 3. P. 280–284.Liang T., Gibson Q., Ali M. N., Liu M., Cava R. J., Ong N. P. Ultrahigh mobility and giant magnetoresistance in the Dirac semimetal Cd3As2. Nature materials, 2015, vol. 14, no. 3, pp. 280284.D Dirac semimetal Cd3As2: A review of material properties / I. Crassee, R. Sankar, W. L. Lee, A. Akrap, M. Orlita // Physical Review Materials. 2018. Vol. 2, no. 12. P. 120302.Crassee I., Sankar R., Lee W. L., Akrap A., Orlita M. 3D Dirac semimetal Cd3As2: A review of material properties. Physical Review Materials, 2018, vol. 2, no. 12, pp. 120302.Three-dimensional Dirac semimetal and quantum transport in Cd3As2 / Z. Wang, H. Weng, Q. Wu, X. Dai, Z. Fang // Phys. Rev. B. 2013. Vol. 88. P. 125427.Wang Z., Weng H., Wu Q., Dai X., Fang Z. Three-dimensional Dirac semimetal and quantum transport in Cd3As2. Phys. Rev. B, 2013, vol. 88, pp. 125427.Experimental realization of a three-dimensional Dirac semimetal / S. Borisenko, Q. Gibson, D. Evtushinsky, V. Zabolotnyy, B. Büchner, R. J. Cava // Phys. Rev. Lett. 2014. Vol. 113. P. 027603.Borisenko S., Gibson Q., Evtushinsky D., Zabolotnyy V., Büchner B., Cava R. J. Experimental realization of a three-dimensional Dirac semimetal. Phys. Rev. Lett, 2014, vol. 113, pp. 027603.Two-dimensional Dirac fermions in thin films of Cd3As2 / L. Galletti, T. Schumann, O. F. Shoron, M. Goyal, D. A. Kealhofer, H. Kim, S. Stemmer // Phys. Rev. B. 2018. Vol. 97. P. 115132.Galletti L., Schumann T., Shoron O. F., Goyal M., Kealhofer D.A., Kim H., Stemmer S. Two-dimensional Dirac fermions in thin films of Cd3As2. Phys. Rev. B, 2018, vol. 97, pp. 115132.Walowski J., Muzenberg M. Perspective: Ultrafast magnetism and THz spintronics // J. Appl. Phys. 2016. Vol. 120. P. 140901.Walowski J., Muzenberg M. Perspective: Ultrafast magnetism and THz spintronics. J. Appl. Phys., 2016, vol. 120, pp. 140901.Anomalous Nernst effect in the Dirac semimetal Cd3As2 / T. Liang, J. Lin, Q. Gibson, T. Gao, M. Hirschberger, M. Liu, R. J. Cava, N. P. Ong // Physical Review Letters. 2017. Vol. 118, no. 13. P. 136601-1 – 136601-5.Liang T., Lin J., Gibson Q., Gao T., Hirschberger M., Liu M., Cava R. J., Ong N. P. Anomalous Nernst effect in the dirac semimetal Cd3As2. Physical Review Letters, 2017, vol. 118, no. 13, pp. 136601-1 – 136601-5.Quantum Hall states observed in thin films of Dirac semimetal Cd3As2 / M. Uchida, Y. Nakazawa, S. Nishihaya, K. Akiba, M. Kriener, Y. Kozuka, A. Miyake, Y. Taguchi, M. Tokunaga, N. Nagaosa, Y. Tokura, M. Kawasaki // Nature communications. 2017. Vol. 8, no. 1. P. 2274-1 – 2274-7.Uchida M., Nakazawa Y., Nishihaya S., Akiba K., Kriener M., Kozuka Y., Miyake A., Taguchi Y., Tokunaga M., Nagaosa N., Tokura Y., Kawasaki M. Quantum Hall states observed in thin films of Dirac semimetal Cd3As2. Nature communications, 2017, vol. 8, no. 1, pp. 2274-1 – 2274-7.Observation of a three-dimensional topological Dirac semimetal phase in high-mobility Cd3As2 / M. Neupane, S. Y. Xu, R. Sankar, N. Alidoust, G. Bian, C. Liu, I. Belopolski, T. R. Chang, H. T. Jeng, H. Lin, A. Bansil, F. Chou, M. Z. Hasan // Nature communications. 2014. Vol. 5. P. 3786-1 – 3786-8.Neupane M., Xu S. Y., Sankar R., Alidoust N., Bian G., Liu C., Belopolski I., Chang T. R., Jeng H. T., Lin H., Bansil A., Chou F., Hasan M. Z. Observation of a three-dimensional topological Dirac semimetal phase in high-mobility Cd3As2. Nature communications, 2014, vol. 5, pp. 3786-1 – 3786-8.Giant negative magnetoresistance induced by the chiral anomaly in individual Cd3As2 nanowires / C. Z. Li, L. X. Wang, H. Liu, J. Wang, Z. M. Liao, D. P. Yu // Nature Communications. 2015. Vol. 6. P. 10137-1 – 10137-7.Li C. Z., Wang L. X., Liu H., Wang J., Z. Liao M., Yu D. P. Giant negative magnetoresistance induced by the chiral anomaly in individual Cd3As2 nanowires. Nature Communications, 2015, vol. 6, pp. 10137-1 – 10137-7.Transport evidence for Fermi-arc-mediated chirality transfer in the Dirac semimetal Cd3As2 / J. W. M. Philip, L. N. Nityan, H. Toni, C.P. Andrew, I. Kimchi, A. Vishwanath, J. G. Analytis // Research letter. 2016. Vol. 535, no. 7611. P. 266–270.Philip J. W. M., Nityan L. N., Toni H., Andrew C.P., Kimchi I., Vishwanath A., Analytis J. G. Transport evidence for Fermi-arc-mediated chirality transfer in the Dirac semimetal Cd3As2. Research letter, 2016, vol. 535, no. 7611, pp. 266–270.Thermoelectric signature of the chiral anomaly in Cd3As2 / Z. Jia, C. Li, X. Li, J. Shi, Z. Liao, D. Yu, X. Wu // Nature Communications. 2016. Vol. 7. P. 13013-1 – 13013-6.Jia Z., Li C., Li X., Shi J., Liao Z., Yu D., Wu X. Thermoelectric signature of the chiral anomaly in Cd3As2. Nature Communications, 2016, vol. 7, pp. 13013-1 – 13013-6.Probing the chiral anomaly by planar Hall effect in Dirac semimetal Cd3As2 nanoplates / M. Wu, G. Zheng, W. Chu, Y. Liu, W. Gao, H. Zhang, J. Lu, Y. Han, J. Zhou, W. Ning, M. Tian // Physical review B. 2018. Vol. 98. P. 161110-1 – 161110-5.Wu M., Zheng G., Chu W., Liu Y., Gao W., Zhang H., Lu J., Han Y., Zhou J., Ning W., Tian M. Probing the chiral anomaly by planar Hall effect in Dirac semimetal Cd3As2 nanoplates. Physical review B, 2018, vol. 98, pp. 161110-1 – 161110-5.Fu C., Sun Y., Felser C. Topological thermoelectrics // APL Materials. 2020. Vol. 8, no. 4. P. 040913. https://doi.org/10.1063/5.0005481.Fu C., Sun Y., Felser C. Topological thermoelectrics. APL Materials, 2020, vol. 8, no. 4, pp. 040913. https://doi.org/10.1063/5.0005481Ultrafast photothermoelectric effect in dirac semimetallic Cd3As2 revealed by terahertz emission / W. Lu, Z. Fan, Y. Yang, J. Ma, J. Lai, X. Song, X. Zhuo, Z. Xu, J. Liu, X. Hu, S. Zhou, F. Xiu // Nature Communications. 2022. Vol. 13, no. 1. P. 1623. https://doi.org/10.1038/s41467022-29168-w.Lu W., Fan Z., Yang Y., Ma J., Lai J., Song X., Zhuo X., Xu Z., Liu J., Hu X., Zhou S., Xiu F. Ultrafast photothermoelectric effect in dirac semimetallic Cd3As2 revealed by terahertz emission. Nature Communications, 2022, vol. 13, no. 1, pp. 1623. https://doi.org/10.1038/s41467022-29168-wManifestation of kinetic inductance in terahertz plasmon resonances in thin-film Cd3As2 / A. Chanana, N. Lotfizadeh, Q. H. O. Condorie, P. Gopalan, J. R. Winger, S. Blair, A. Nahata, V. V. Deshpande, M. A. Scarpulla, B. Sensale-Rodriguez // ACS Nano. 2019. Vol. 13, no. 4. P. 4091–4100. https://doi.org/10.1021/acsnano.8b08649.Chanana A., Lotfizadeh N., Condorie Q. H. O., Gopalan P., Winger J. R., Blair S., Nahata A., Deshpande V. V., Scarpulla M. A., Sensale-Rodriguez B. Manifestation of kinetic inductance in terahertz plasmon resonances in thin-film Cd3As2. ACS Nano, 2019, vol. 13, no. 4, pp. 4091–4100. https://doi.org/10.1021/acsnano.8b08649Gate-enhanced broadband photodetection based on Cd3As2/graphene Dirac heterojunctions / X. Liao, C. Xu, Z.-P. Fan, Y.-Y. Lan, N. Li, C.-G. Chu, A.-Q. Wang, D. Sun, Z.-M. Liao // Applied Physics Letters. 2023. Vol. 122, no. 3. P. 031105. https://doi.org/ 10.1063/5.0139561.Liao X., Xu C., Fan Z. P., Lan Y. Y., Li N., Chu C. G., Wang A. Q., Sun D., Liao Z. M. Gate-enhanced broadband photodetection based on Cd3As2/graphene Dirac heterojunctions. Applied Physics Letters, 2023, vol. 122, no. 3, pp. 031105. https://doi.org/10.1063/5.0139561Ferromagnetic state above room temperature in a proximitized topological Dirac semimetal / M. Uchida, T. Koretsune, S. Sato, M. Kriener, Y. Nakazawa, S. Nishihaya, Y. Taguchi, R. Arita, M. Kawasaki // Phys. Rev. B. 2019. Vol. 10, no. 24. P. 245148-1 – 245148-7. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.245148.Uchida M., Koretsune T., Sato S., Kriener M., Nakazawa Y., Nishihaya S., Taguchi Y., Arita R., Kawasaki M. Ferromagnetic state above room temperature in a proximitized topological Dirac semimetal. Phys. Rev. B, 2019, vol. 10, no. 24, pp. 245148-1 – 245148-7. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.245148Pressure-induced superconductivity in the three-dimensional topological Dirac semimetal Cd3As2 / L. He, Y. Jia, S. Zhang, X. Hong, C. Jin, S. Li // NPJ Quantum Materials. 2016. Vol. 1. P. 16014.He L., Jia Y., Zhang S., Hong X., Jin C., Li S. Pressure-induced superconductivity in the three-dimensional topological Dirac semimetal Cd3As2. NPJ Quantum Materials, 2016, vol. 1, pp. 16014.Observation of superconductivity induced by a point contact on 3D Dirac semimetal Cd3As2 crystals / W. He, W. Huichao, L. Haiwen, L. Hong, Y. Wuhao, J. Shuang, L. Xiong-Jun, X. C. Xie, W. Jian, W. Jian // Nature materials. 2016. Vol. 15, no. 1. P. 38–42.He W., Huichao W., Haiwen L., Hong L., Wuhao Y., Shuang J., Xiong-Jun L., Xie X. C., Jian W., Jian W. Observation of superconductivity induced by a point contact on 3D Dirac semimetal Cd3As2 crystals. Nature materials, 2016, vol. 15, no. 1, pp. 38–42.Unconventional superconductivity at mesoscopic point contacts on the 3D Dirac semimetal Cd3As2 / L. Aggarwal, A. Gaurav, G. S. Thakur, Z. Haque, A. K. Ganguli, G. Sheet // Nature materials. 2015. Vol. 15, no. 1. P. 32–37.Aggarwal L., Gaurav A., Thakur G. S., Haque Z., Ganguli A. K., Sheet G. Unconventional superconductivity at mesoscopic point contacts on the 3D Dirac semimetal Cd3As2. Nature materials, 2015, vol. 15, no. 1, pp. 32–37.Gate modulation of anisotropic superconductivity in Al-Dirac semimetal Cd3As2 nanoplate-Al Josephson junctions / N. Li, Z. B. Tan, J. J. Chen, T. Y. Zhao, C. G. Chu, A. Q. Wang, Z. C. Pan, D. Yu, Z. M. Liao // Superconductor Science and Technology. 2022. Vol. 35, no. 4. P. 044003.Li N., Tan Z. B., Chen J. J., Zhao T. Y., Chu C. G., Wang A. Q., Pan Z. C., Yu D., Liao Z. M. Gate modulation of anisotropic superconductivity in Al-Dirac semimetal Cd3As2 nanoplate-Al Josephson junctions. Superconductor Science and Technology, 2022, vol. 35, no. 4, pp. 044003.Observation of subkelvin superconductivity in Cd3As2 thin films / A. V. Suslov, A. B. Davydov, L. N. Oveshnikov, L. A. Morgun, K. I. Kugel, V. S. Zakhvalinskii, E. A. Pilyuk, A. V. Kochura, A. P. Kuzmenko, V. M. Pudalov, B. A. Aronzon // Physical Review B. 2019. Vol. 99, is. 9. P. 094512.Suslov A. V., Davydov A. B., Oveshnikov L. N., Morgun L. A., Kugel K. I., Zakhvalinskii V. S., Pilyuk E. A., Kochura A. V., Kuzmenko A. P., Pudalov V. M., Aronzon B. A. Observation of subkelvin superconductivity in Cd3As2 thin films. Physical Review B, 2019, vol. 99, is. 9, pp. 094512.Superconductivity and Shubnikov de Haas effect in polycrystalline Cd3As2 thin films / L. N. Oveshnikov, A. B. Davydov, A. V. Suslov, A. I. Ril, S. F. Marenkin, A. L. Vasiliev, B. A. Aronzon // Scientific Reports. 2020. Vol. 10, is. 1. P. 4601.Oveshnikov L. N., Davydov A. B., Suslov A. V., Ril A. I., Marenkin S. F., Vasiliev A. L., Aronzon B. A. Superconductivity and Shubnikov de Haas effect in polycrystalline Cd3As2 thin films. Scientific Reports, 2020, vol. 10, is. 1, pp. 4601.Induced superconductivity in the two-dimensional topological insulator phase of cadmium arsenide / A. Rashidi, R. Kealhofer, A. C. Lygo, V. Huang, S. Stemmer // APL Materials. 2023. Vol. 11, no. 41. P. 041117.Rashidi A., Kealhofer R., Lygo A. C., Huang V., Stemmer S. Induced superconductivity in the two-dimensional topological insulator phase of cadmium arsenide. APL Materials, 2023, vol.11, no. 41, pp. 041117.Morphology and optical properties of thin Cd3As2 films of a Dirac semimetal compound / N. Kovaleva, L. Fekete, D. Chvostova, A. Muratov // Metals. 2020. Vol. 10, is. 10. P. 1398.Kovaleva N., Fekete L., Chvostova D., Muratov A. Morphology and optical properties of thin Cd3As2 films of a Dirac semimetal compound. Metals, 2020, vol. 10, is. 10, pp. 1398.Two-dimensional topological insulator state in cadmium arsenide thin films / A. C. Lygo, B. Guo, A. Rashidi, V. Huang, P. Cuadros-Romero, S. Stemmer // Physical Review Letters. 2023. Vol. 130, no. 427. P. 046201.Lygo A. C., Guo B., Rashidi A., Huang V., Cuadros-Romero P., Stemmer S. Twodimensional topological insulator state in cadmium arsenide thin films. Physical Review Letters, 2023, vol. 130, no. 427, pp. 046201.Jurusik J. The columnar microstructure of amorphous cadmium arsenide thin films // Thin Solid Films. 1994. Vol. 248. P. 178–183.Jurusik J. The columnar microstructure of amorphous cadmium arsenide thin films. Thin Solid Films, 1994, vol. 248, pp. 178–183.Получение и свойства тонких пленок Cd3As2 и Zn3P2 / Н. С. Жалилов, В. П. Саныгин, А. М. Квердаков, О. Н. Пашкова // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1990. Т. 26, вып. 9. С. 1975–1976.Jalilov N. S., Sanygin V. P., Kverdakov A. M., Pashkova O. N. Poluchenie i svoistva tonkikh plenok Cd3As2 i Zn3P2 [Synthesis and properties of Cd3As2 and Zn3P2 thin films]. Izvestiya AN SSSR. Neorganicheskie materialy = Proceedings AN SSSR. Inorganic Materials, 1990, vol. 26, is. 9, pp. 1975–1976.Molecular beam epitaxy of three-dimensionally thick Dirac semimetal Cd3As2 films / Y. Nakazawa, M. Uchida, S. Nishihaya, S. Sato, A. Nakao, J. Matsuno, M. Kawasaki // APL Materials. 2019. Vol. 7. P. 071109.Nakazawa Y., Uchida M., Nishihaya S., Sato S., Nakao A., Matsuno J., Kawasaki M. Molecular beam epitaxy of three-dimensionally thick Dirac semimetal Cd3As2 films. APL Materials, 2019, vol. 7, pp. 071109.Molecular beam epitaxy of Cd3As2 on a III-V substrate / T. Schumann, M. Goyal, H. Kim, S. Stemmer // APL Materials. 2016. Vol. 4. P. 126110.Schumann T., Goyal M., Kim H., Stemmer S. Molecular beam epitaxy of Cd3As2 on a III-V substrate. APL Materials, 2016, vol. 4, pp. 126110.Dubowski J. J., Williams D. F. Pulsed laser evaporation of Cd3As2 // Applied Physics Letters. 1984. Vol. 44. P. 339.Dubowski J. J., Williams D. F. Pulsed laser evaporation of Cd3As2. Applied Physics Letters, 1984, vol. 44, pp. 339.Синтез магнетронным распылением и структура тонких пленок арсенида кадмия / А. В. Кочура, В. С. Захвалинский, Зо Хтет Аунг, А. И. Риль, Е. А. Пилюк, А. П. Кузьменко, Б. А. Аронзон, С. Ф. Маренкин // Неорганические материалы. 2019. Т. 55, no. 9. C. 933–940.Kochura A. V., Zakhvalinskii V. S., Htet Aung Zaw, Ril A. I., Pilyuk E. A., Kuz’menko A. P., Aronzon B. A., Marenkin S. F. Sintez magnetronnym raspyleniem i struktura tonkikh plenok arsenida kadmiya [Growth of Thin Cadmium Arsenide Films by Magnetron Sputtering and Their Structure]. Neorganicheskie materialy = Inorganic Materials, 2019, vol. 55, iss.. 9, pp. 879– 886.Effect of Cd/As flux ratio and annealing process on the transport properties of Cd3As2 films grown by molecular beam epitaxy / S. X. Zhang, J. Zhang, Y. Wu, T. T. Kang, N. Li, X. F. Qiu, P. P. Chen // Materials Research Express. 2020. Vol. 7. P. 106405.Zhang S. X., Zhang J., Wu Y., Kang T. T., Li N., Qiu X. F., Chen P. P. Effect of Cd/As flux ratio and annealing process on the transport properties of Cd3As2 films grown by molecular beam epitaxy. Materials Research Express, 2020, vol. 7, pp. 106405.Ориентированные пленки полупроводниковых соединений Zn3As2 и Cd3As2 на сапфировых подложках / Н. С. Жалилов, В. П. Саныгин, Г. С. Юрьев, С. Ф. Маренкин, В. Б. Лазарев // Журнал неорганической химии. 1992. Т. 37, № 9. C. 1950–1954.Jalilov N. S., Sanygin V.P., Juriev G. S., Marenkin S. F., Lasarev V. B. Orientirovannye plenki poluprovodnikovykh soedinenii Zn3As2 i Cd3As2 na sapfirovykh podlozhkakh [Oriented films of Zn3As2 and Cd3As2 semiconductor compounds on saphire substrates]. Zhurnal Neorganicheskoi khimii = Journal of Inorganic Chemistry, 1992, vol. 37, vol. 9, pp. 1950–1954.Cadmium arsenide films prepared by pulsed laser evaporation: electrical properties and lattice parameters / J. J. Dubowski, P. Norman, P. B. Sewell, D. F. Williams, F. Krolicki, M. Lewicki // Thin Solid Films. 1987. Vol. 147. P. L-51 – L-54.Dubowski J. J., Norman P., Sewell P. B., Williams D. F., Krolicki F., Lewicki M. Cadmium arsenide films prepared by pulsed laser evaporation: electrical properties and lattice parameters. Thin Solid Films, 1987, vol. 147, pp. L-51 – L-54.Сверхпроводимость в тонких пленках дираковского полуметалла Cd3As2 / А. Б. Давыдов, Л. Н. Овешников, А. В. Суслов, А. И. Риль, С. Ф. Маренкин, Б. А. Аронзон // Физика твердого тела. 2020. Т. 62, № 3. C. 369–372.Davydov A. B., Oveshnikov L. N., Suslov A. V., Ril A. I., Marenkin S. F., Aronzon B. A. Sverkhprovodimost' v tonkikh plenkakh dirakovskogo polumetalla Cd3As2. [Superconductivity in Thin Films of the Dirac Semimetal Cd3As2]. Fizika tverdogo tela = Physics of the Solid State, 2020, vol. 62, is. 3, pp. 419-422.Structural characterization of high-mobility Cd3As2 films crystallized on SrTiO3 / Y. Nakazawa, M. Uchida, Sh. Nishihaya, M. Kriener, Yu. Kozuka, Y. Taguchi, M. Kawasaki // Scientific Reports. 2018. Vol. 8. P. 2244.Nakazawa Y., Uchida M., Nishihaya Sh., Kriener M., Kozuka Yu., Taguchi Y., Kawasaki M. Structural characterization of high-mobility Cd3As2 films crystallized on SrTiO3. Scientific Reports, 2018, vol. 8, pp. 2244.Din M., Gould R. D. Van der Pauw resistivity measurements on evaporated thin films of cadmium arsenide, Cd3As2 // Applied Surface Science. 2006. Vol. 252. P. 5508–5511.Din M., Gould R.D. Van der Pauw resistivity measurements on evaporated thin films of cadmium arsenide, Cd3As2. Applied Surface Science, 2006, vol. 252, pp. 5508–5511.Ril A. I., Marenkin S. F. Cadmium arsenides: structure, synthesis of bulk and film crystals, magnetic and electrical properties (Review) // Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2021. Vol. 66, no. 14. P. 2005–2016.Ril A. I., Marenkin S. F. Cadmium arsenides: structure, synthesis of bulk and film crystals, magnetic and electrical properties (Review). Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2021, vol. 66, no. 14, pp. 2005–2016.Тензиметрические исследования сублимации Cd3As2 / Г. Д. Нипан, Я. Х. Гринберг, В. Б. Лазарев // Журнал физической химии. 1989. T. 63, № 2. C. 325–328.Nipan G. D., Grinberg Ya. H., Lasarev V. B. Tenzimetricheskie issledovaniya sublimatsii Cd3As2 [Tensimetric studies of Cd3As2 sublimation]. Zhurnal fizicheskoi khimii = Journal of Physical Chemistry, 1989, vol. 63, is. 2, pp. 325–328.Федер Е. Фракталы. М.: Мир, 1991. 254 с.Feder J. Fraktaly [Fractals]. Moscow, Mir Publ., 1991. 254 p.О фрактальных свойствах агрегатов металлических нанокластеров на твердой поверхности / В. М. Самсонов, Ю. В. Кузнецова, Е. В. Дьякова // Журнал технической физики. 2016. Т. 86, № 2. C. 71 – 77.Samsonov V. M., Kuznetsova Yu. V., D’yakova E. V. O fraktal'nykh svoistvakh agregatov metallicheskikh nanoklasterov na tverdoi poverkhnosti [Fractal properties of aggregates of metal nanoclusters on solid surface]. Zhurnal tekhnicheskoi fiziki = Technical Physics, 2016, vol. 86, no. 2, pp. 71–77.Структурирование магнетронных нанопленок Zr при отжиге TD < Tan < Tm в атмосфере / А. П. Кузьменко, Тант Син Вин, Мьо Мин Тан, А. В. Кузько, Нау Динт // Известия Юго-Западного государственного университета. Серия: Техника и технологии. 2021. T. 11, № 2. C. 133–150.Kuzmenko A. P., Thant Sin Win, Myo Min Than, Kuzko A. V., Naw Dint. Strukturirovanie magnetronnykh nanoplenok Zr pri otzhige TD < Tan < Tm v atmosfere [Structuring of Magnetron Zr nanofilms Upon Annealing TD < Tan < Tm in the Atmosphere]. Izvestiya YugoZapadnogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya: Tekhnika i tekhnologii = Proceedings of the Southwest State University. Series: Engineering and Technologies, 2021, vol. 11(2), pp. 133– 150.Some aspects of raman scattering in Cd3As2 single crystals / J. Weszka, M. I. Renucc, A. Zwick // Physics Status Solidi (B). 1986. Vol. 133. P. 57.Weszka J., Renucc M. I., Zwick A. Some aspects of raman scattering in Cd3As2 single crystals. Physics Status Solidi (B), 1986, vol. 133, pp. 57.Schönherr P., Hesjedal T. Structural properties and growth mechanism of Cd3As2 nanowires // Applied Physics Letters. 2015. Vol. 106. P. 013115.Schönherr P., Hesjedal T. Structural properties and growth mechanism of Cd3As2 nanowires. Applied Physics Letters, 2015, vol. 106, pp. 013115.Thickness-dependent quantum oscillations in Cd3As2 thin films / P. Cheng, C. Zhang, Y. Liu, X. Yuan, F. Song, Q. Sun, P. Zhou, D. W. Zhang, F. Xiu // New J. Physics. 2016. Vol. 18. P. 083003.Cheng P., Zhang C., Liu Y., Yuan X., Song F., Sun Q., Zhou P., Zhang D. W., Xiu F. Thickness-dependent quantum oscillations in Cd3As2 thin films. New J. Physics, 2016, vol. 18, pp. 083003.Vapor-phase synthesis and magnetoresistance of (Cd1−xZnx)3As2 (x=0.007) single crystals / A. V. Kochura, L. N. Oveshnikov, A. P. Kuzmenko, A. B. Davydov, S. Yu. Gavrilkin, S. Zakhvalinskii, V. A. Kulbachinskii, N. A. Khokhlov, B. A. Aronzon // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 109, № 3. C. 174–175.Kochura A. V., Oveshnikov L. N., Kuzmenko A. P., Davydov A. B., Gavrilkin S. Yu., Zakhvalinskii V. S., Kulbachinskii V. A., Khokhlov N. A., Aronzon B. A. Vapor-phase synthesis and magnetoresistance of (Cd1−xZnx)3As2 (x=0.007) single crystals. JETP Letters, 2019, vol. 109, no. 3, pp. 175–179.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.